半導体装置

開放特許情報番号:L2010003909 開放特許情報登録日:2010/7/16 最新更新日:2013/7/19

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2007/2/21
公開日
2008/9/4
出願人
国立大学法人北海道大学
特許権者
国立大学法人北海道大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
半導体装置
開放特許情報
技術分野
電気・電子 情報・通信 その他
機能
機械・部品の製造 制御・ソフトウェア その他
適用製品
半導体集積回路
目的
この発明は、入力信号に応じて複数の出力端子から選択的に出力信号を出力する小型化した半導体装置を提供する。
効果
この発明の装置によれば、入力信号に応じて出力信号の出力端子を選択する素子を、容易に小型化することができる。
技術概要
半導体メモリの各セルを選択する回路として、3端子素子のトランジタを組み合わせて構成されたセレクタ回路が用いられている。また多値論理回路の1種であるMOD(多値決定グラフ)の基本回路としても使用されている。しかし、これらの回路素子は、回路の大規模化にともない小型化が要望される様になっている。この半導体装置は、入力信号に応じて、複数の出力端子から選択的に出力信号を出力するもので、GaAs基板上に並設されたチャネル層5a,5b,5cと、チャネル層5a,5b,5cの一端に共通接続された入力端子9と、チャネル層5a,5b,5cの他端に独立に接続された出力端子10a,10b,10cと、チャネル層5a,5b,5cの中央領域11a,11b,11cに跨って布設されたゲート電極6a,6bとを備え、ゲート電極6aとチャネル層5a,5b,5cとは、チャネル層5a,5b,5cを導通させるためのゲート電極6aの入力信号の閾値電圧が、チャネル層5a,5b,5cの順に増加するように構成され、且つ、チャネル層5a,5b、5cを導通させるためのゲート電極6bの入力信号の閾値電圧が、チャネル層5a,5b、5cの順に減少するように構成されている。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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