適用製品
発光デバイス、電子デバイス、半導体デバイス
目的
ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とするナノ構造体及びその製造方法、表面改質を実現するナノ構造体及びその製造方法、およびナノ構造同士の干渉を防止するナノ構造体及びその製造方法の提供。
効果
この技術によれば、ナノ構造体の所定の界面に薄膜層を挿入するサンドイッチサブナノ構造体を形成することで、階層間で生じる原子同士の干渉を抑制し、ナノ構造体の表面改質を実現させることができる。こうすることで、デバイスの高効率化が図れる。すなわち、量子井戸、量子細線及び量子ドット等に代表されるナノ構造の界面に新たに設計されたサブナノ構造をサンドイッチすることにより、複数のナノ構造のそれぞれの品質・形状を高品質な状態に維持することが可能であり、品質と形状の改善を図ることができる。
技術概要
この技術は、所望とする複数のナノ構造の品質・形状を高品質に保つために、ナノ構造間の界面に適切に設計されたサブナノ構造をサンドイッチすることで界面状態を制御するようにしたもので、この技術のナノ構造体は、ホスト材料内にゲスト材料として複数のナノ構造を内包させる半導体デバイスにおいて、ゲスト材料の間に新しいサブナノ構造がサンドイッチされていることを特徴とする。ナノ構造体とは、構造の１つの軸方向の長さが略５０ｎｍ以下である構造を指し、具体的には、量子ドット構造、量子細線構造及び量子井戸構造のうち少なくとも一つを示す。ナノ構造体を生成するには、分子線エピタキシャル装置及び／もしくは有機金属気相堆積法を利用し、結晶をエピタキシャル成長させることが必要である。また、この技術は、半導体基板上に、ホスト材料層を形成し、ホスト材料層上に単数もしくは複数層のゲスト材料による第１のナノ構造体層を形成し、第１のナノ構造体層の上に薄層のサンドイッチサブナノ構造層を形成し、サブナノ構造層上に単数もしくは複数層のゲスト材料による第２のナノ構造体層を形成しているナノ構造体製造方法を提供する。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
