目的
グラフェンを含む非線形素子を集積化する技術を提供し、半導体の集積度を向上させる。
効果
グラフェン非線形素子が集積化された回路が提供されるので、さらなるデバイスの集積度の向上が達せられる。
技術概要
シリコンカーバイド基板のシリコン面に形成したグラフェンを含む非線形素子を有するグラフェン集積回路、及びその製造方法である。シリコンカーバイド基板１（図ａ）の表面を、絶縁膜２で覆った後、グラフェンを形成させる露出部３−１を設け（図ｂ）、そのシリコンカーバイド基板を熱処理して、グラフェン３を形成する（図ｃ）。グラフェン３を形成させる露出部３−１以外を絶縁膜２で覆うには、基板１の表面全体に絶縁膜２をデポジションで形成して、形成した絶縁膜２の所望の部位をエッチング等で除去する。絶縁膜２は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウムからなる膜である。所望の位置に形成したグラフェン上には、オーミック電極４が形成されて非線形素子を形成する（図ｄ）。オーミック電極４は、クロム、チタン、ニッケル、パラジウムなどの金属膜などの積層体が好ましく、それにより低抵抗化が実現する。形成したオーミック電極は、ソース電極及びドレイン電極となる。非線形素子は、さらにゲート電極６が形成することが好ましい（図ｅ）。ゲート電極６は、例えばグラフェン上にゲート酸化膜５を介して形成すればよい。これにより、ゲート変調されるトランジスタを得る。
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