適用製品
エピタキシャル成長、焦電型赤外線センサ、超音波センサ
目的
センサには様々な特性が要求されており、シリコン酸化膜をベースとするセンサではその要求に充分対応できない場合があるため、γ−アルミナ層をベースにするセンサが使用されることがあるものの、このセンサは１つの基板に作り込まれているため、センサとして機能させるには、これを周辺回路用ディスクリート素子とアッセンブリする必要があり、かかる集積装置において製造コストのほとんどがアッセンブリ代に費やされていることの改善。
効果
この集積装置によれば、シリコン基板にγ−アルミナ膜がエピタキシャル成長されてこのγ−アルミナ膜を用いて第１の機能領域を形成することができる。他方、シリコン基板においてγ−アルミナ膜の無い領域には第２の機能領域を形成することができる。
技術概要
この技術は、シリコン基板と、シリコン基板の一部にエピタキシャル成長されたγ−アルミナ膜上に形成される第１の機能領域と、シリコン基板においてγ−アルミナ膜が成長された以外の領域に形成される第２の機能領域と、第１の機能領域と第２の機能領域とを接続する配線手段と、を備えてなる集積装置とする。第１の機能領域としてセンサを採用し、第２の機能領域としてセンサの信号処理回路（周辺回路）を形成することができる。そしてセンサとその信号処理回路とを配線手段により接続することにより、１つのシリコン基板に２つの機能（例えば、センサとその周辺回路）を作り込むことが可能となる。これにより、アッセンブリ作業が不要となるので製造コストを低減することができる。この集積装置のセンサは、シリコン基板上にエピタキシャル成長されたγ−アルミナ膜をベースとして用いて形成されるので、シリコン酸化膜をベースとしたセンサと全く異なる特性を有する。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
