適用製品
磁気センサー、磁気ランダムアクセスメモリデバイス等に有用な強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子に適用する。
目的
磁性金属等を内包もしくは充填してなる強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子を提供する。
効果
磁気センサー等に応用する際、磁性金属等が大気などに暴露されることがないため安定したデバイスが作製可能になる。
技術概要
単層・多層カーボンナノチューブに二種類以上の磁性金属を含む金属を内包もしくは充填してなる強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子にする。磁性金属を含む金属は、カーボンナノチューブ内に合金として、もしくは、それぞれの金属ごとに分離して内包もしくは充填することもでき、それら一種類以上の磁性金属を含む金属を内包もしくは充填するためには、基板に内包もしくは充填する金属薄膜を積層した構造にする。例えば、シリコン基板または金属基板１と、ＳｉＯ↓２、ＳｉＮ↓ｘ、Ｍｏ、Ｗ等の薄膜２と、その上に磁性金属を含む金属を内包もしくは充填してなる、Ｐｄ等の非磁性金属薄膜３とＣｏ等の強磁性金属薄膜４とが組合わせて積層される。尚、内包もしくは充填する金属の種類により部品数を増やし、多層構造にすることもできる（図）。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
