赤外ガラス蛍光体及び半導体発光素子で構成した光干渉断層撮影装置用光源

開放特許情報番号:L2009004512 開放特許情報登録日:2009/7/17 最新更新日:2020/10/21

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2007/1/29
公開日
2008/8/14
出願人
国立大学法人名古屋大学
特許権者
国立大学法人東海国立大学機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
赤外ガラス蛍光体及び半導体発光素子で構成した光干渉断層撮影装置用光源。
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
赤外ガラス蛍光体及び半導体発光素子で構成した光干渉断層撮影装置用光源
目的
光干渉断層撮影(OCT:Optical Coherence Tomography)装置に用いる光源を提供する。
効果
安価、小型、取り扱いが容易な半導体発光素子の特徴を損なうことなく、かつ簡単な構成を維持しつつ、半値幅の広いスペクトルを実現できる。また、赤外ガラス蛍光体と半導体発光素子との組み合わせは、いわば白色LEDのようなものでもあり、単一デバイスとして光源として取り扱うことができ、非常に簡便である。その結果、既存のOCT装置の光源だけを取り代えることにより、高分解能のOCT装置を実現できる。さらに、白色LEDの生産技術を利用可能であり、工業プロセス上有利である。
技術概要
半値幅の広い赤外ガラス蛍光体と半導体発光素子とを組み合わせることにより、光干渉断層撮影装置用光源を提供する。具体的には、赤外ガラス蛍光体中に、Ybイオンが含まれている。また、外ガラス蛍光体中に、YbイオンとNdイオンが含まれている。さらに、赤外ガラス蛍光体は、Yb↓2O↓3を含む。そして、赤外ガラス蛍光体は、Yb↓2O↓3及びNd↓2O↓3を含む。また、赤外ガラス蛍光体は、Bi↓2O↓3及びB↓2O↓3からなるガラスである。一方、半導体発光素子は、発光ダイオードである。また、半導体発光素子は、スーパールミネッセントダイオードである。さらに、半導体発光素子は、レーザダイオードである。図1はYb↓2O↓3と、Nd↓2O↓3と、Bi↓2O↓3と、B↓2O↓3とが5.0mol%、2.0mol%、44.4mol%、48.6mol%となるように秤量して作製した赤外ガラス蛍光体の発光スペクトルを示す。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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