目的
より簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供する。
効果
簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供することができる。
技術概要
ゲート電極と、ゲート電極を覆い、複数の凹部が形成されるゲート絶縁膜と、複数の凹部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間の領域に配置され、ソース電極及びドレイン電極に接続される有機半導体層と、ソース電極及び、ドレイン電極、を有する有機薄膜トランジスタである。図に示すように、この有機薄膜トランジスタ１は、基板２と、この基板２上に形成されるゲート電極３と、基板２及びゲート電極３を覆って形成され、凹部４１ａ、ｂが形成されるゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４の凹部４１ａに形成されるソース電極５と、ゲート絶縁膜４の凹部４１ｂに形成されるドレイン電極６と、ソース電極５、ドレイン電極６及びこれらの間の領域（チャネル領域）を覆って形成される有機半導体層７と、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層７を保護する保護膜８と、を有して形成される。基板２は、例えばシリコン、ガラス、プラスチックフィルムを好適に用いることができる。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
