固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法

開放特許情報番号:L2009000647 開放特許情報登録日:2009/2/6 最新更新日:2011/2/4

基本情報
出願番号
公開番号
WO2007/083704
登録番号
出願日
2007/1/18
公開日
2007/7/26
出願人
国立大学法人静岡大学
特許権者
国立大学法人静岡大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
その他
適用製品
固体撮像装置
目的
画素面積の増大を防ぎながら入射光量に対する出力信号のダイナミックレンジの拡大率を大きくとることができる固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法を提供する。
効果
画素面積の増大を防ぎながら入射光量に対する出力信号のダイナミックレンジの拡大率を大きくとることができる固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法を提供できる。
技術概要
画素面積の増大を防ぎながらダイナミックレンジが大きい固体撮像装置及びその固葉信号の読みだし方法を提供する。光により生成された電荷を蓄積する第1のポテンシャル井戸PWIと、この第1のポテンシャル井戸PWIに隣接した電荷分配電位障壁CDBと、この電荷分配電位障壁CDBを介して第1のポテンシャル井戸PW1に対向し、同一強度の光に対し、第1のポテンシャル井戸PWIに蓄積された電荷よりも少量の電荷を蓄積する第2のポテンシャル井戸PW2と、第1のポテンシャル井戸PW1及び第2のポテンシャル井戸PW2に蓄積された電荷を転送する第1転送ゲート電極31及び第2転送ゲート電極32と、第1及び第2転送ゲート電極により転送された電荷をそれぞれ別個に蓄積する第1浮遊拡散領域26及び第2浮遊拡散領域27とを備える画素を複数配列する。図1は、固体撮像装置(2次元固体撮像装置)の半導体チップ上のレイアウトを説明する複式的平面図、図2は、固体撮像装置の概略的な断面図(図3のA−A方向から見た複式的な断面図)、図3は固体撮像装置の図南の構成を説明する図である。
イメージ図
実施実績   :
試作
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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