目的
生産性を落とすことなく、イオン照射ダメージを抑制し、放電容器内部でプラズマを生成することができる優れたプラズマ生成装置およびプラズマ処理製造方法を提供する。
効果
ホロー状穴内からの噴き出し法は、薄膜シリコンの結晶性向上に大きな効果がある。
技術概要
図１に示されるプラズマ処理装置は、マイクロ波電源１から供給された電力により発生したマイクロ波をその内側２２に沿って伝達させる導波管２０と、この導波管２０に連結されるとともに内部に収容した基板１５等に対しマイクロ波により励起されたプラズマを用いて処理を行うための放電容器１０とを備えている。図２（ａ）は、一般的なフラットな誘電体板を示す。それに対し、図２（ｂ）は、穴のサイズ程度以上に互いに離れて配置されたホロー状穴を多数もつ誘電体板を示す。各ホロー状穴部は、表面波がその内壁面を伝わるよう構成されているが、各ホロー状穴部の形状・深さ・大きさを適宜変更することができる。図３（ａ）は、誘電体内のガス配管を通してホロー状穴のガス噴出口からガスを噴出す方法を示す。この場合、スロット板と誘電体板（ホロー板）とが積層して形成され、ガス噴出口に繋がるガス配管が誘電体板の内部に配設されている。ガス配管内をプラズマ生成用原料ガスが供給されるので、各ホロー状穴に均等に供給される。図３（ｂ）は、スロット板内のガス配管を通してホロー状穴に、プラズマ生成用原料ガスを噴出する方法を示す図である。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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