適用製品
簡便な操作で得られ、ダイヤモンドショットキーバリアダイオード、ダイヤモンドトランジスタ、ダイヤモンド電界効果トランジスタ等の分野で広く利用される。
目的
金属とダイヤモンドのショットキー接合の中間層として、絶縁体を挿入することで、ショットキー障壁高さを高くし、低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
効果
ショットキーバリア高さを高くすることが出来るため、高出力ダイヤモンド素子の高電界印加時におけるリーク電流が減少し、また動作可能電圧が増大する。
技術概要
ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドｐ↑−ドリフト層、ダイヤモンドｐ↑＋オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドｐ↑−ドリフト層の接合面の間に、中間層として誘電体層を形成したダイヤモンド半導体素子である。尚、誘電体層を形成する誘電体が窒化物あるいは酸化物であり、誘電体が、Ｓｉ↓３Ｎ↓４、ＳｉＯ↓２またはＡｌ↓２Ｏ↓３である。また、高出力ダイヤモンド半導体素子がショットキーバリヤーダイオードである。更に、ショットキー電極の形状は、基板上のダイヤモンド半導体表面に形成された島状に点在する複数の電極から成るパターン電極である。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
