目的
半導体デバイス特性を改善できるダイヤモンドをエピタキシャル成長して形成されるダイヤモンド薄膜を有するダイヤモンド薄膜積層体を提供する。
効果
平坦面を有するダイヤモンド基板は、その表面上に異常成長粒子や成長丘等が１０↑３ｃｍ↑−上２以下であり、その上にダイヤモンド層を成長しても異常成長粒子や成長丘が１０↑３ｃｍ↑−上２以下の平坦面を備えるダイヤモンド膜が成長可能である。
技術概要
ダイヤモンド基板と、ダイヤモンド基板表面の異常成長粒子や成長丘の原因である転位、研磨傷等の欠陥部分の成長を抑制する物質をドープしてなる欠陥部分成長抑制ダイヤモンド薄膜層を備えるダイヤモンド薄膜積層体である。また、ダイヤモンド薄膜にドープされる物質はホウ素であり、濃度は１０↑２↑０〜１０↑２↑２ａｔｏｍｓ／ｃｍ↑３とすることができる。さらに、ダイヤモンド薄膜上に、ｐ↑＋ダイヤモンド層を備えることができる。また、ダイヤモンド薄膜上又はｐ↑＋ダイヤモンド層表面の凹凸において、基板の欠陥に起因する前記凹凸は１０↑３ｃｍ↑−↑２以下とすることができる。さらに、ダイヤモンド薄膜及びｐ↑＋ダイヤモンド層はマイクロ波プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）により得ることができる。また、ダイヤモンド基板は、｛００１｝、｛１１０｝又は｛１１１｝面を備えることができる。図１は用いた手順、図２は作製した試料の断面図の一例、図３は作製した試料の光学顕微鏡像である。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
