適用製品
有機電界効果トランジスタ、ウェットプロセス
目的
ウェットプロセスでありながら素子内部の分子の秩序性を向上し、電流密度を向上することができる有機電界効果トランジスタの提供。
効果
溶液中にＭｎＯ↓２微粒子を添加することにより電界効果トランジスタの電流密度向上を行うことができる。これにより、生産性の低下、高コストを伴うドライプロセスを用いず、ウェットプロセスによる簡易的、高性能の有機電界効果トランジスタの生産法を提供することができる。
技術概要
この技術では、基板上に、少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、半導体層にＭｎＯ↓２微粒子を含有するものとする。また有機半導体層を、ウェットプロセスにより作製したものとする。さらに、電界効果トランジスタが、有機半導体層を作製後、加熱処理により特性を向上したものとする。半導体層に含有するＭｎＯ↓２微粒子の粒径は、半導体層の厚さ未満が好ましく、具体的には、１０ｎｍ〜２０μｍ程度の粒径のものを用いる。半導体層は、ＭｎＯ↓２微粒子を含有するが、半導体材料としては各種公知のウェットプロセスで形成可能な半導体材料であり、例えば微結晶のペンタセン、オリゴチオフェン、ポリチオフェン、フルオレンービチオフェン共重合体、フラーレン、カーボンナノチューブ等を用いることができる。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
その他の情報
