目的
低温度でＳｉＮ↓ｘ薄膜を形成する薄膜作製方法を提供する。
効果
ＳｉＮ↓ｘ薄膜を低温（室温〜３００℃）にて作製できるという優れた効果を有する。原料ガスのシランとキャリアガスのＮ↓２を真空紫外光の光源窓部に向けて吹き付けて導入するため、窓部にアモルファスＳｉが付着しないため、真空紫外光の光量が変化せず安定した薄膜作製が可能であるという優れた効果を有する。
技術概要
図１に示すように、光ＣＶＤ装置１は、反応容器２と、原料ガス供給装置３、４と、排気装置５と、真空紫外光装置６とから構成されており、反応容器２内の基板保持部７に基板８を載置して排気装置５によって真空引きを行い、原料ガスのシラン及びＮＨ↓３を原料ガス供給装置３、４によって導入して混合すると共に、加熱装置（図示せず）によって基板８を過熱し、真空紫外光源であるエキシマランプを真空紫外光装置６に装着し、窓部９を介して波長１２６ｎｍの紫外光を照射可能とする。ここで、原料ガスのシランは予め原料ガス供給装置３によってキャリアガスであるＮ↓２と混合され、真空紫外光装置６の窓部９に直近から吹き付けて導入される。波長１２６ｎｍの真空紫外光を照射された反応容器２内では、図２に示すようにシランとＮＨ↓３が真空紫外光を吸収し、光化学反応によって分解して解離分子となって基板８上に吸着し、この解離分子が真空紫外光を吸収して光化学反応を起こし、ＳｉＮ↓ｘ薄膜として成長する。
改善効果１
ＳｉＮ↓ｘ薄膜が形成された基板をさらに光アニーリングを行なうことにより、良質の薄膜が作製できるという優れた効果を有する。さらに、基板温度を５０℃〜８０℃の低温において光ＣＶＤ法による薄膜を作製し、さらに光アニーリングを行なうことによって酸化しない安定したＳｉＮ↓ｘ薄膜を作製できるためプラスチック等の基板材料や生体系材料等の保護膜として利用できるという効果を有する。
基本情報
開放特許情報
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