適用製品
カーボンナノチューブの製造方法、ＣＶＤ法、電子デバイス材料、光学素子材料、導電性材料、生体関連材料
目的
比較的安価な材料よりなる基板を用い、シリコンウェハを用いた場合と同等な優れた特性を有するカーボンナノチューブを大量且つきわめて安価に製造することができる技術の提供。
効果
比較的安価な材料よりなる金属基板を用い、シリコンウェハを用いた場合と同等な優れた特性を有するカーボンナノチューブないし配向カーボンナノチューブ・バルク集合体を大量且つきわめて安価に製造できる技術を提供することが可能となる。すなわち、シリコンウェハを基板として用いた場合に比べ、その製造コストを十分の一から数十分の一程度に低減させることができる。
技術概要
この技術では、第１に、Ｎｉ２０原子％以上を含有するＮｉ基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させる。第２に、Ｎｉ２０原子％以上を含有するＮｉ基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを配向カーボンナノチューブ・バルク集合体として成長させる。第３に、Ｎｉ２０原子％以上を含有するＮｉ基合金が、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｒ及びＮｉ−Ｆｅ−Ｃｒよりなる群から選ばれる１種の合金であることを特徴とする。反応雰囲気に酸化剤を添加してもよく、酸化剤が水蒸気であることが好ましい。また、金属基板が箔状又はリボン状であることを特徴とし、金属基板の厚さが０．０５〜０．５ｍｍであることが好ましい。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
その他の情報
