テラヘルツ電磁波放射素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010001657
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2010/3/5

基本情報

出願番号 特願2006-535106
出願日 2005/8/23
出願人 国立大学法人九州工業大学、国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2006/030608
公開日 2006/3/23
登録番号 特許第4423429号
特許権者 国立大学法人九州工業大学、国立大学法人 北海道大学
発明の名称 テラヘルツ電磁波放射素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 2つのコヒーレントな光波を入力し、混合してその差周波数に対応したテラヘルツ電磁波を放射出力するテラヘルツ電磁波放射素子に適用する。
目的 特定の積層構造を有するテラヘルツ電磁波放射素子を提供する。
効果 非放射2次元電子プラズモン波から放射電磁波への変換効率を向上させ、かつ、より広帯域性を実現できるテラヘルツ電磁波放射素子が可能になる。
技術概要
半絶縁性の半導体バルク層と、半導体バルク層の直上に半導体ヘテロ接合構造によって形成される2次元電子層と、2次元電子層の1辺に電気的に接続されたソース電極と、ソース電極に対向する2次元電子層の他の1辺に接続されたドレイン電極と、2次元電子層の上面近傍に2次元電子層と平行に、2つの異なる直流バイアス電位を交互に設定できる2重ゲート電極格子と、半導体バルク層の下面に接して膜状に形成されたテラヘルツ帯では反射鏡として機能し、かつ光波帯では透明な透明金属ミラーと、によって構成され、2つの光波を透明金属ミラーの下面より入射させ、かつ、2重ゲート電極格子に2つの異なる直流バイアス電位を交互に与え、2重ゲート電極格子の配位に対応して2次元電子層の電子濃度を周期的に変調せしめたテラヘルツ電磁波放射素子にする(図1、図2)。2重ゲート電極格子は、入れ子型に2重の回折格子状に形成され、また、半導体バルク層の側面が半導体バルク層よりは低い比誘電率を有する低誘電材料で被覆されているのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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