| 出願番号 |
特願2005-020265 |
| 出願日 |
2005/1/27 |
| 出願人 |
国立大学法人北海道大学 |
| 公開番号 |
特開2006-210620 |
| 公開日 |
2006/8/10 |
| 登録番号 |
特許第4982729号 |
| 特許権者 |
国立大学法人北海道大学 |
| 発明の名称 |
超高感度画像検出装置およびその製造方法、検出方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、検査・検出 |
| 適用製品 |
超高感度画像検出装置 |
| 目的 |
光子１個が入ったことを高感度で検出できるような超高感度画像検出装置およびその製造方法を実現する。 |
| 効果 |
光子１個で電子１個分の電流が流れるような構成とは異なり、光子１個で顕著に大きな電流が流れ、それを検出すればよいので、光子１個の入力を容易に検出することができる。それゆえ、光子１個が入ったことを高感度で検出できるような超高感度画像検出装置およびその製造方法を実現することができる。 |
技術概要
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図１は、超高感度画像検出装置のデバイス構造（ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造）を示す。半導体基板１７上に、基板不純物拡散層１６が形成され、基板不純物拡散層１６上にソース電極１１およびドレイン電極１５が形成され、その上に、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）１４、さらにその上にゲート電極１３が形成されている。ゲート絶縁膜１４中には量子ドット１２が形成されている。これにより、トランジスタが構成されている。画像検出装置（超高感度画像検出装置）１は、図１中、上方向から、画像に応じた光子が入力され、その光子を二次元的に捉えるために、半導体基板１７上に、図１中、上向きに、光子検出素子としてのトランジスタが、二次元的なアレイとして配置された構成となっている。図１の構成では、トランジスタをＭＯＳ構造により作製し、量子ドット１２を、ゲート酸化膜（ゲート絶縁膜１４）中に埋め込んだシリコン微粒子により作製している。図２は、超高感度画像検出装置のデバイス構造（ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造）を示す。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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